K2699 Просмотр технического описания (PDF) - Toshiba

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

K2699

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)

Toshiba 

2SK2699

RG = 25 Ω

VDD = 90 V, L = 7.35 mH

EAS

=

1

2

⋅ L ⋅ I2

⋅ ⎜⎛

⎝

BVDSS

BVDSS − VDD

⎟⎞

⎠

5

2009-09-29

Share Link: