MBF10N Просмотр технического описания (PDF) - Galaxy Semi-Conductor
Номер в каталоге
Компоненты Описание
Список матч
MBF10N Datasheet PDF : 4 Pages
| |||
Silicon Bridge Rectifiers
Production specification
MBF10N
Electrical Characteristics (@TA = 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Maximum instantaneous
forward voltage
VF
IF=1.0A Per Diode
--
1.15
Rated VR,
@TA=25°C
--
5
Maximum Reverse current
IR
Per Diode
@TA=125°C
--
200
Units
V
μA
MBF722AA
Rev.B
www.gmesemi.com
Share Link: 