BSB013NE2LXI(2011) Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

BSB013NE2LXI
(Rev.:2011)

n-Channel Power MOSFET

Infineon Technologies 

Table 12

9 Drain-source on-state resistance

OptiMOS™ Power-MOSFET

BSB013NE2LXI

Electrical characteristics diagrams

10 Typ. gate threshold voltage

RDS(on)=f(Tj); ID=30 A; VGS=10 V

Table 13

11 Typ. capacitances

VGS(th)=f(Tj); VGS=VDS; ID=10 mA

12 Forward characteristics of reverse diode

C=f(VDS); VGS=0 V; f=1 MHz

Final Data Sheet

IF=f(VSD); parameter: Tj

7

2.0, 2011-03-18

Share Link: