052N03LS(2011) Просмотр технического описания (PDF) - Infineon Technologies

Номер в каталоге

Компоненты Описание

Список матч

052N03LS
(Rev.:2011)

OptiMOS™ Power-MOSFET

Infineon Technologies 

Table 14

13 Avalanche characteristics

OptiMOS™ Power-MOSFET

BSC052N03LS

Electrical characteristics diagrams

14 Typ. gate charge

IAS=f(tAV); RGS=25 Ω; parameter: Tj(start)

Table 15

15 Drain-source breakdown voltage

VGS=f(Qgate); ID=30 A pulsed; parameter: VDD

16 Gate charge waveforms

VBR(DSS)=f(Tj); ID=1 mA

Final Data Sheet

8

2.0, 2011-03-01

Share Link: